PROCESS × DEVICE · 半导体一线工艺工程师

从 55nm 到 14nm,从 32 层到 196 层 3D NAND,
都亲手干过

我是 Diamond,在半导体产线摸了 11 年。从 55nm 到 14nm 逻辑器件、从 32 层到 196 层 3D NAND,我全程参与了多条产品线的从0到1,也扛过良率从爬坡到量产的完整项目——不是看过,是亲手干过。

CVD 薄膜(low-k / STI HARP / 高应力 SiN)和 CMOS 器件我两边都踩过坑,横跨 process 和 device 的复合背景,让我能帮你把一个工艺问题直接翻译成器件语言、定位根因。60+ 件发明专利、历年良率与失效整改笔记,大多沉淀在站内资料里。

如果你正卡在:工艺窗口调不动、简历写不透自己的价值、面试答不好"为什么"——这些我都能聊,帮你把模糊的工艺直觉,落成可执行的方案和讲得清的故事。

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付费资料 · 一站式清单

18 份付费资料与咨询服务,按方向分类,付款后即买即用。

求职成长

求职地图 / 01

半导体大厂求职地图

公司版图 + 核心岗位详解 + 薪资参考 + 求职策略。11 年一线经验帮你少走弯路、投得准。PDF 共 9 页。

¥9.9
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面试题库 / 01

半导体面试题库

8 大模块约 50 题(含答案 + 解析):工艺基础 / CVD / CMOS / PIE / 良率 / 可靠性 / EHS / 行为面试。面试前一次补齐薄弱点。PDF 共 19 页。

¥19.9
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CVD 面试 / 01

CVD 工艺面试 50 问

垂直深挖薄膜工艺岗的 50 道高频面试题 + 解析,覆盖腔室 / 前驱体 / 台阶覆盖 / 良率。

¥29.9
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工艺技术专报

SiN 资料 / 01

高张应力 SiN 薄膜工艺

NMOS 应变工程:PECVD 应力调控、UV 固化、SMT 集成与可靠性权衡。PDF 约 13 页。

¥49
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APF 资料 / 01

APF 含氢非晶碳硬掩模

刻蚀选择比、应力控制、low-k 兼容集成,以及优化扩充版实战要点。

¥59
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low-k 资料 / 01

超低介电常数(low-k / ULK)薄膜

降 k 物理、FSG / CDO / 多孔 ULK 材料族、前驱体、UV cure 与 PID 机理。PDF 共 22 页。

¥69
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NDC 资料 / 01

N 掺杂碳化硅(NDC / SiCN)薄膜

k 值 / 应力 / 台阶覆盖 / 可靠性权衡,Cu 扩散阻挡层应用与沉积窗口。

¥69
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HARP 资料 / 01

STI / ILD HARP 高深宽比填充

臭氧 TEOS、流动性 oxide、空隙控制,从浅沟槽到层间介质填充。

¥69
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CMOS 资料 / 01

CMOS 器件失效效应与先进工艺模块

HCI / NBTI / PBTI / TDDB 四大可靠性 + STI / 阱 / salicide / SMT / low-k 互连模块。PDF 共 39 页。

¥99
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金刚石资料 / 01

MPCVD 法制备半导体级金刚石薄膜

形核、掺杂、热管理应用,半导体级金刚石薄膜技术专报。PDF 共 42 页。

¥129
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HDP 资料 / 01

HDP-CVD 高密度等离子体间隙填充

同步沉积+溅射的 bottom-up 填充机理、Dep/Etch 窗口、IPM / DS1+DS2 / Single DS 三种 STI recipe 模式,与 HARP / FCVD 选型。含一线案例,共 11 章 13 图。

¥59
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ECP 资料 / 09

ECP 电镀铜技术专报

先进互连 bottom-up 填充:CEAC 机理、添加剂三件套、前处理与填充缺陷(void / seam / 夹杂物)排查,大马士革集成窗口。共 21 章 + 5 附录、22 表 9 图。

¥79
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NFDARC 资料 / 10

DARC / NFDARC 介电抗反射涂层

光刻抗反射涂层:DARC 的 n/k 光学匹配与膜厚控制,NFDARC 去氮规避光刻机中毒与胶 footing 的取舍,PECVD 沉积窗口。共 15 章 + 3 附录、7 表。

¥49
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颗粒量测 / 07

晶圆表面颗粒量测技术手册

暗场散射颗粒检测:SP1/SP2 到 SP5/SP7 的波长迭代与像素级参考比对,散射四量耦合、Recipe 调参与背景误报排查,含 18 张原厂培训图。共 19 章。

¥49
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TEOS 资料 / 11

PECVD TEOS & USG 技术专报

ULK 时代的"配角膜":反应机理、参数趋势、Recipe 五段式与 ST Transfer/CIP1 演进,PAC/PA/THK 三类 OOS 排障实录,附调参速查表与新 Recipe 导入检查清单。PDF 约 32 页。

¥59
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量测资料 / 12

膜厚量测技术手册

膜厚量测整条技术栈:SE / SR / BBSE / SWE / WLR / 应力量测,量测能力三指标、GOF 模型匹配纪律与子系统选型逻辑。9 章 17 图,PDF 约 35 页。

¥39
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咨询与会员

咨询 / 01

半导体疑难问答 · 职业规划

6 个问题,覆盖工艺 / 器件技术疑难 + 求职职业规划,配图文详解。

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合集 / 01

半导体全套付费资料合集

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会员 / 01

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金刚石工艺圈

金刚石薄膜制备工艺技术汇总

CMOS 器件及 flow 解读

28nm/40nm 逻辑芯片 CMOS 原理及失效效应分析

CVD 薄膜工艺圈

ULK、low-k、STI HARP 等先进 CVD 工艺知识点汇整

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Services

我能帮你做什么

把一线经验变成可用的交付。以下服务均基于公开领域知识与方法论,不涉及任何原单位保密信息。

01

工艺培训 / 知识分享

面向应届生与转行工程师的半导体薄膜工艺实战课程与公开分享。

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02

简历优化 + 职业规划(半导体方向)

针对工艺 / 器件 / PIE / YE 岗位,重构你的简历结构与量化表达,让猎头和面试官 10 秒看到亮点;并提供职业规划咨询,帮你理清技术路线、能力短板与跳槽节奏。

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03

模拟面试(器件 / PIE)

基于真实岗位 JD 做技术面试陪练,覆盖薄膜工艺、器件物理、失效分析与项目追问。

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04

技术顾问 / 工艺评审

为设备商、材料商与初创团队提供薄膜工艺窗口、器件结构评审的兼职顾问支持。

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Writing

文章与思考

把产线里踩过的坑、想通的问题,写成能复用的方法论。

05失效模式
半导体薄膜工艺 · 实战清单

CVD 薄膜常见的 5 类失效模式——一个 11 年工艺工程师的实战清单

厚度均匀性差、颗粒污染、台阶覆盖空洞、薄膜应力开裂、电性与组分异常。每类都给现象、机理和排查思路。

阅读全文 →
06介电薄膜
半导体薄膜工艺 · 材料与机理

先进工艺:超低介电常数(low-k / ULK)薄膜技术详解

系统讲解 low-k / ULK 介电薄膜的材料族与核心权衡。

阅读全文 →
07可靠性
CMOS 器件 · 可靠性与工艺模块

CMOS 器件失效效应介绍及先进工艺模块介绍

梳理 HCI / NBTI / PBTI / TDDB 四大可靠性退化效应,串讲 STI、阱工程、salicide、SMT、双应力衬垫与 low-k 互连等先进工艺模块——可下载 PDF(39 页)系统讲透。

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08高深宽比填充
半导体薄膜工艺 · STI / ILD HARP

HARP 填沟出了 seam,别急着改 recipe

出 seam 时根因 80% 不在 recipe,而在前段 trench profile、SiN pull-back、under-cut。还有衬底选择性的隐藏变量和 H2 处理开关——完整工艺手册(含实测数据、排查清单、16 张示意图)。

阅读全文 →
09Cu 互连双功能膜
半导体薄膜工艺 · BEOL Cu 互连 NDC / SiCN

NDC 调不动?别急着堆 N——它卡在 Cu 阻挡、k 值、应力的不可能三角里

Cu tail 超标时堆 N 反而推高 k、压应力翻车、覆盖变差。先锁 20–30% 甜区再调副旋钮,用 UV 固化翻转应力、NH₃ 预处理稳住界面——完整薄膜技术资料(含物理本质、界面工程、参数调控、五大失效排查、选型决策树、8 图 9 表)。

阅读全文 →
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即将发布

从 3D NAND 到逻辑器件:一个工艺-器件复合工程师的视角

为什么横跨 process-device 的人,在 PIE / YE 岗位上更稀缺、也更值钱。

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