DIGITAL PRODUCT · 工艺深研

STI ETCH
技术专报

先进 CMOS 浅沟槽隔离刻蚀——从 LOCOS 到 40 nm 节点。STI Loop 八步集成、三种 Hardmask 模式演进、40 nm 分步气体化学、卤素选择比设计、七类典型缺陷排查,以及 recipe 设计的实战原则。

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为什么你需要这份资料

在先进 CMOS 前段(FEOL),STI(浅沟槽隔离)决定有源区宽度、寄生电容与漏电;而沟槽形貌——深度、侧壁角度、底部圆化——几乎全由 STI-ET(沟槽刻蚀)这一道工序定义。刻蚀调不好,上下游全部跟着崩。

这份专报把 STI-ET 讲成可落地的工艺选择:从 LOCOS 的鸟嘴缺陷到 STI 无鸟嘴的演进、STI Loop 八步集成与膜层 stack、PR / HM / Tri-layer 三种 hardmask 模式的取舍、40 nm 分步气体化学(HBr / Cl₂ / NF₃ + O₂ 侧壁钝化)、卤素选择比设计、高深宽比刻蚀(ARDE)的特殊考量,再到七类典型缺陷(micro-trench / double-sloop / pattern depth loading 等)的机理与调参方向,并给出两段式 recipe 实战框架。共 8 章 + 结语,覆盖从 180 nm PR mode 到 40 nm Tri-layer 的 STI 刻蚀调试场景。
①

隔离是 CMOS 的命门

STI 决定有源区宽度、寄生电容与闩锁/漏电。沟槽形貌由 STI-ET 定义,刻蚀调不稳,良率先崩。

②

刻蚀是 STI 的灵魂

深度、taper 角度、bottom rounding 全在 STI-ET 这一道。它要跟光刻、填充、CMP、湿法紧密协同。

③

一线 recipe 思维

从三种 hardmask 模式到两段式 recipe,再到七类缺陷排查 SOP——把零散经验落成可执行的调参地图。

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以下为全文目录,共 8 章 + 结语。可据此判断内容是否覆盖你的痛点;确认需要后,按下方购买方式加微信付款,我通过微信私信发送完整电子版(含全部正文、图表、参数表与附录)。

第 1 章 STI 工艺定位与技术演进
第 2 章 STI 集成流程与膜层 Stack
第 3 章 STI-ET 三种 Hardmask 模式演进
第 4 章 40 nm STI-ET 分步工艺详解
第 5 章 STI 沟槽刻蚀气体化学与选择比设计
第 6 章 典型缺陷机理与排查
第 7 章 先进节点 STI 工艺趋势
第 8 章 STI 刻蚀 Recipe 设计实战原则
结语 从隔离到互连的完整刻蚀体系
数据口径:文中不涉及具体公司名、机台型号与内部 recipe 参数,所有数值(CD / 深度 / 角度 / 气体流量 / 功率等)均为行业典型范围,仅供参考;全部配图均为作者基于产线经验绘制的 clean 示意图。
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先进ETCH·系列一STI
技术专报 / 11

《STI ETCH 技术专报》· 深度工艺详解

先进 CMOS 浅沟槽隔离刻蚀:从 LOCOS 到 40 nm 节点,STI Loop 八步集成、三种 Hardmask 模式演进、40 nm 分步气体化学、卤素选择比设计、七类典型缺陷排查与 recipe 实战原则。

  • 8 章正文 + 结语,约 28 页
  • 9 张 clean 重绘示意图 + 4 张参数 / 对比表
  • 真实机理:硬掩模模式演进、卤素气体化学、选择比设计、ARDE 高深宽比刻蚀
  • 一线实战:40 nm STI-ET 分步 recipe + 七类缺陷排查 SOP + 两段式 recipe 框架
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Q5 · 这份资料适合谁?
做刻蚀、CVD / PIE、工艺整合的工程师,以及准备吃透 FEOL 隔离 / 刻蚀模块、向先进节点(FinFET / 3D 结构)迁移的人员。
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