GeSi 外延是硅光里良率敏感度最高的工序：国产暗电流与国际先进水平的差距全部指向位错密度与选择性两个词。本册把"先形核后铺层"的表面科学写成 recipe。

WHY THIS BOOK

这本册子解决什么

4.2% 失配的驯服

LT-Ge 形核分散位错、HT-Ge 长质量、800°C 退火降位错两个量级——两步生长法全解。

暗电流故障树

位错/表面/接触/体掺杂四条分支层层展开：每个暗电流数字都能沿树找到可调旋钮。

表征工具箱

XRD/SEM/TEM/AFM/PL 怎么选、怎么建立与工艺参数的统计关联——外延从手艺变模型。

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目录预览（18 节）

以下为全册章节。可据此判断内容是否覆盖你的痛点；确认需要后，按下方购买方式加微信付款，我通过微信私信发送完整电子版（含封面 / 目录 / 全部正文 / 图表 / 速查表）。

01 · 为什么探测器必须用 Ge

02 · 一切困难的源头：4.2% 晶格失配

03 · 两步生长法：低温缓冲 + 高温主体

04 · 选择性的意义：SiO2 上无 Ge 沉积

05 · 暗电流：探测器一切工艺的最终裁判

06 · 带宽的另一半：不是外延一个人的战斗

07 · GeSi 外延工艺速查表

08 · 位错与暗电流：一笔可以量化的账

09 · 三则失效案例

10 · 自查清单

11 · RPCVD：Ge 外延的装备门槛

12 · 术语速查

13 · 探测器的两种集成位置

14 · 新手学习路径建议

15 · 产业坐标：国产 GeSi 外延的差距与机会

16 · 进阶推演：暗电流故障树的完整展开

17 · 外延缺陷的表征工具箱

18 · Ge 集成的未来：从探测器到平台级材料

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硅光系列 04SiPh 04

硅光工艺技术专报 / 04

《硅光工艺详解04 · GeSi 探测器与外延》

硅光工艺系列第四册：Ge/Si 晶格失配物理、两步生长法温度编排、RPCVD 装备门槛、选择性外延与开窗规则、暗电流三来源因果图、表征工具箱与失效案例、产业坐标与进阶推演。

两步生长法温度编排 + 工艺速查表
选择性 >100:1 与单窗口 <10μm 规则的由来
暗电流故障树完整展开（排查标准作业）
三则失效案例：温度漂移/选择性丢失/响应度不均
国产差距与机会：良率每爬一阶，成本降一段

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Q3 · 五册可以一起买吗？

可以。系列汇总页 siph.html 提供全套购买：五册合集 ¥299（单买 ¥395，省 ¥96），一次交付。

Q4 · 内容适合谁？

半导体工艺 / 设备 / PIE 工程师转型硅光，微电子 / 光电专业学生入行，以及光模块行业想补全晶圆端工艺认知的人。用"工艺需求—难点—失效模式—解法"四件套讲透每个模块。

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