DIGITAL PRODUCT · 工艺深研 / HARP

HARP 高深宽比工艺填充
技术专报

O₃/TEOS SACVD 的流动式填充：衬底选择性、三步法递进设计、28nm STI HARP 完整集成链，与 HDP/FCVD 的路线之争。

HARP 用"会流动的氧化层"解决了 HDP 轰击损伤的遗留问题：衬底选择性让膜自己往沟底走。本册把 O₃/TEOS 化学讲到能设计三步法比卡。
WHY THIS BOOK

这份资料解决什么

01

流动的化学

O₃/TEOS SACVD 反应机理 + 衬底选择性 Si>>SiN>SiO₂ 的用法。

02

三步法设计

O₃/TEOS 比的递进设计与 28nm STI HARP 完整集成链。

03

路线之争

HDP vs HARP vs FCVD 的优劣账：损伤、填充能力、成本三维对比。

PREVIEW · 试读

目录预览（11 节）

以下为全册章节。可据此判断内容是否覆盖你的痛点；确认需要后，按下方购买方式加微信付款，我通过微信私信发送完整电子版。

01 · 引言与工艺背景：高深宽比填充为什么难
02 · HARP 的技术定位
03 · HARP 填充的物理化学机理（O₃/TEOS SACVD）
04 · 衬底选择性：Si >> SiN > SiO₂
05 · 高深宽比下的填充动力学
06 · STI HARP 工艺：三步法 O₃/TEOS 比递进设计
07 · 28nm 节点 STI HARP 完整集成链
08 · ILD 应用与金属化兼容
09 · 缺陷与可靠性：seam、void、裂纹
10 · HDP vs HARP vs FCVD 选型对比
11 · 一线案例与调试要点
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工艺深研HARP
工艺深研 / HARP

《HARP 高深宽比工艺填充》

HARP 高深宽比填充技术专报：O₃/TEOS 反应机理、衬底选择性、STI 三步法与 28nm 集成链、ILD 应用、缺陷与可靠性、HDP/HARP/FCVD 选型对比。

  • 机理—工艺—集成—选型完整链条
  • STI 三步法 O₃/TEOS 比递进设计
  • 28nm 节点 STI HARP 集成流程
  • seam/void/裂纹缺陷与可靠性
  • 与 HDP/FCVD 的选型对比
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