DIGITAL PRODUCT · 工艺深研

Si/SiGe EPI
外延技术专报

在晶体上长晶体的工艺——外延定义与分类、异质外延相容性、应变工程与源漏外延、成膜机理与硅源化学、六步生长过程、掺杂动力学、选择性外延 SEG、机台架构与温场控制、典型缺陷排查与先进节点趋势。

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为什么你需要这份资料

外延是 FEOL 里少数"直接决定器件本征性能"的模块：沟道迁移率、源漏寄生电阻、结漏电，都与那几百埃到几微米的外延层直接相关。节点越先进，外延的使用次数越多、窗口越窄、要求越苛刻——但它恰恰是很多工程师知识体系里最薄的一块。

这份专报把 EPI 讲成从机理到机台的完整链路：外延定义与分类、异质外延相容性三原则、应变工程与源漏外延（SiGe:B 压应变 / Si:P 张应变）、成膜机理与硅源化学（SiH₄ / DCS / TCS / STS 温度阶梯与氢还原可逆平衡）、外延生长六步过程与临界成核模型、掺杂动力学（B 随温度升高、P/As 随温度降低）、选择性外延 SEG（HCl 抑制成核、载荷效应）、机台架构与温场控制、典型缺陷排查与先进节点趋势。共 10 章 + 结语。
①

EPI 是迁移率引擎

SiGe:B 压应变提空穴迁移率、Si:P 张应变提电子迁移率——源漏外延一步同时完成降阻与应变。

②

掺杂有"反向"规律

硼掺入效率随温度升高、磷砷随温度降低——不知道这条，split 数据就会被误读，调参方向直接反。

③

机理与机台双修

从 sputter 式的表面迁移到四区红外温场、上下双 Pyrometer 控温——机理层与设备层一次打通。

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以下为全文目录，共 10 章 + 结语。可据此判断内容是否覆盖你的痛点；确认需要后，按下方购买方式加微信付款，我通过微信私信发送完整电子版（含全部正文、图表与参数表）。

第 1 章　EPI 工艺定位与定义
第 2 章　外延分类与异质外延相容性
第 3 章　EPI 在先进器件中的应用：应变工程
第 4 章　成膜机理与硅源化学
第 5 章　外延生长的六步过程与成核模型
第 6 章　外延掺杂：杂质选择与温度特性
第 7 章　选择性外延（SEG）
第 8 章　EPI 机台架构与温场控制
第 9 章　外延质量指标与典型缺陷
第 10 章　实战原则与先进节点趋势
结语　从机理到机台的完整外延体系
数据口径：文中不涉及具体公司名、机台型号与内部 recipe 参数，所有数值（温度 / 厚度 / 掺杂浓度 / 流量等）均为行业典型范围，仅供参考；配图一部分来自作者博士阶段的学习整理资料（已做背景清理），一部分为作者绘制的 clean 示意图与数据整理。
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工艺深研系列EPI
技术专报 / 13

《Si/SiGe EPI 外延技术专报》· 深度工艺详解

Si/SiGe 外延：定义与分类、异质外延相容性、应变工程与源漏外延、成膜机理与硅源化学、六步生长过程、掺杂动力学、选择性外延 SEG、机台架构与温场控制、典型缺陷排查与先进节点趋势。

  • 10 章正文 + 结语，约 26 页
  • 14 张示意图 / 实拍整理图 + 6 张对比 / 参数 / 排查表
  • 真实机理：硅源温度阶梯、B 与 P/As 的反向掺杂特性、六步生长与临界成核
  • 一线视角：SEG 的 HCl 窗口与载荷效应、四区红外温场与双 Pyrometer 控温、缺陷速查与实战六原则
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做外延、CVD、PIE、器件整合的工程师，准备外延 / 薄膜方向面试的同学，以及想系统补齐 FEOL 单晶生长认知、向 FinFET / GAA 先进节点迁移的人员。
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