DIGITAL PRODUCT · 工艺深研 / CMOS

CMOS 器件失效效应与先进工艺模块
技术专报

22 章器件失效全典（Word 小四排版）：HCI 幸运电子模型 / NBTI 恢复效应 / GIDL / TDDB 渗流 / 短窄沟道 / Kink 浮体 / 闩锁 / 天线 / TFT 背栅，附失效分析工具箱、JEDEC 考核体系与面试 12 题。

器件为什么失效、工艺怎么背锅：这本 22 章的全典把非理想效应、可靠性失效与背后的工艺模块一次讲透——从幸运电子模型到 JEDEC 考核标准，器件、可靠性、PIE 岗位的通用底座，最后附面试 12 题直接背。
WHY THIS BOOK

这份资料解决什么

01

22 章失效全典

沟道调制/短窄沟道/穿通/Kink 浮体/HCI/闩锁/天线/背栅，机理+工艺成因+对策成套讲。

02

工艺模块联动

STI/阱/LDD/salicide/互连每个模块怎么影响失效，串联起来反向排查。

03

可靠性 + FA + JEDEC

NBTI/GIDL/TDDB 深挖、EMMI/OBIRCH 定位工具箱、JEDEC 考核标准对照表，QR 岗位直接用。

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目录预览（全 22 章）

以下为全册章节。可据此判断内容是否覆盖你的痛点；确认需要后，按下方购买方式加微信付款，我通过微信私信发送完整电子版。

01 · CMOS 是什么：从 PMOS/NMOS 到互补逻辑
02 · MOS 结构与工作原理
03 · MOS 电容与 C-V 特性（六区）
04 · 电性表征：转移/输出特性与参数提取
05 · 沟道长度调制效应
06 · 短沟道与窄沟道效应
07 · 穿通与寄生 BJT
08 · Kink 效应与浮体效应
09 · 热载流子效应 HCI（幸运电子模型·重点）
10 · 闩锁效应 Latch-up
11 · 天线效应 PAE
12 · 显示 TFT 背栅效应
13 · 工艺模块与失效对应关系
14 · 应变工程
15 · NBTI 与 BTI（反应-扩散模型·重点）
16 · GIDL 深挖
17 · TDDB 与栅氧完整性 GOI
18 · 失效分析定位工具箱（EMMI/OBIRCH/FIB）
19 · 可靠性考核体系与 JEDEC 标准
20 · FinFET 与 GAA 演进
21 · 面试高频问答十二题
22 · 失效效应速查总表
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工艺深研CMOS
工艺深研 / CMOS

《CMOS 器件失效效应与先进工艺模块》

MOS/CMOS 器件及常见失效效应技术专报：非理想效应（沟道调制/短窄沟道/穿通/Kink）+ 可靠性失效（HCI 幸运电子模型/NBTI/GIDL/TDDB/闩锁/天线）+ TFT 背栅效应，附失效分析工具箱、JEDEC 考核体系、FinFET/GAA 演进与面试 12 题。全 22 章·7 表·7 图，Word 小四排版。

  • 全 22 章 · 7 表 · 7 图，Word 小四排版
  • HCI 幸运电子模型 + worst-case 偏置演化
  • NBTI/GIDL/TDDB 三大深挖章
  • 失效分析工具箱 + JEDEC 标准对照表
  • 面试高频问答十二题
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