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《面向 28nm CMOS 的高张应力 SiN 薄膜工艺研究》
系统讲解 NMOS 迁移率提升的应变工程：PECVD 应力调控、UV 固化机理、双应力层 / 应力记忆（SMT）集成、热载流子可靠性权衡，附 28nm 推荐工艺窗口速查表。基于公开原理与量产经验综述，PDF 约 13 页。
- 覆盖 CESL / SMT 两大 NMOS 增强路线
- UV 固化物理模型 + 级联波长策略
- 富氮薄膜与氢含量控制的可靠性权衡
- 可直接对照产线做 DOE 参考
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《先进工艺：超低介电常数（low-k / ULK）薄膜技术详解》
系统讲解 low-k / ULK 介电薄膜：互连 RC delay 瓶颈、Clausius-Mossotti 降 k 物理、FSG / CDO / 多孔 ULK 三大材料家族、前驱体化学速查、UV cure 加固机理、PID 等离子体损伤与缓解，以及「低 k ↔ 机械强度 ↔ 可靠性」的核心三角权衡。基于公开原理编写，PDF 共 22 页。
- 覆盖 FSG / CDO / 多孔 ULK 材料族与技术节点
- Clausius-Mossotti 降 k 物理 + 孔隙率有效介质模型
- 前驱体（OMCTS / DEMS / BCHD / ATRP）化学速查
- UV cure 与 PID 机理，可直接对照产线做 DOE 参考
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《CMOS 器件失效效应介绍及先进工艺模块介绍》
推荐给做器件可靠性、工艺集成与 PIE / YE 的工程师：系统梳理 CMOS 器件的典型失效效应与先进工艺模块。可靠性部分覆盖热载流子注入（HCI）、负 / 正偏压温度不稳定性（NBTI / PBTI）、经时介电击穿（TDDB）等退化机制与规律；工艺部分串讲 STI、阱工程、自对准硅化物、应力记忆（SMT）、双应力衬垫、接触 / 金属模块与 low-k 互连的原理与集成逻辑。基于公开原理与量产经验综述编写，PDF 共 39 页。
- 四大可靠性效应：HCI / NBTI / PBTI / TDDB 机理与规律
- 先进工艺模块：STI · 阱工程 · salicide · SMT
- 互连与失效关联：low-k、电迁移 EM 与器件-工艺协同
- 可直接对照产线做可靠性 DOE 参考
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- 薄膜工艺 / 器件物理 / 失效分析
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为设备商、材料商与初创团队提供兼职顾问支持。
- CVD 薄膜工艺窗口开发
- 器件结构与可靠性评审
- 工艺-器件关联问题诊断
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面向应届生与转行工程师的半导体薄膜工艺实战课程。
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合作原则与边界（务必阅读）
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